構造物を感光性材料によってマスク露光する光リソグラフィは、半導体製造の前工程に用いられる確立された技術です。今日の光リソグラフィの主な要件は、いくつかの重要なパラメーターによって定義されています。サブミクロンのアライメント精度、マスクとウェーハ間の制御された均一な近接ギャップ、そしてレジスト感度に対応する明確に定義され正確に制御された露光スペクトルは、考慮されるべき最も重要な基準の 1 つです。さらにEVGでは、お客様独自のプロセスのニーズに合わせたカスタマイズソリューションなど、お客様に焦点を合わせたサービスを提供しております。お客様独自の特別な要件を理解し、それに応じた装置の構成を柔軟に行うEVGは、リソグラフィ技術関連のポートフォリオを常に強化しながら市場に独自のコア・コンピテンスをもたらしています。
光リソグラフィは新しい半導体デバイス設計の微細化要求に応えるために長年に亘って進化し続けてきました。そしてEVGも同様に、1985年の世界初の両面マスクアライナーの発明から、250nmまでの上面アライメントを実現したIQ Aligner NTに至る今日まで、常に将来の市場ニーズを先取りし、光リソグラフィ技術の分野で多くのイノベーションを生み出してきました。さらにEVGの装置は、温度制御ツールセットによるランアウト制御機能、自動クロス補正、全自動マスククリアフィールド、エッジアライメントモード、ダイナミックアライメントモードなど、数多くの高度なアライメント機能の実装を可能にしています。EVGのマスクアライメント製品群に搭載された最新技術にはUV-LED技術があります。この技術によって、スペクトル線を個別に調整することができるため、特殊な光学フィルターが不要となり、ユーザーのアプリケーションにおけるUV露光スペクトルの設定に大きな自由度をもたらします。同時に、UV-LED ランプハウスのメンテナンスも最小限に抑えることができます。EVG独自のSmartNIL技術だけでなく、接合、透過型または反射型IRアライメントなどのさらなる機能により、EVGのマスクアライナーは非常に充実した先進的な機能を備えています。この技術は、今では世界市場で確立されたものになっており、ウェーハバンプ形成、再配線層(RDL)およびビアエッチングマスクの作製、ビアボトム開口プロセス、薄ウェーハまたは仮接合ウェーハ上でのリソグラフィなど、あらゆる重要な必須工程を担っています。研究開発用の半自動システムから、量産向けカセット・トゥ・カセットプロセスの全自動システムに至るまで、様々な用途向けに装置を構成することが可能です。
Visit our booth #6203 and listen to our talk: "Inkjet coating combined with nanoimprinting for complex 3D patterns with nonlinear height increase and low residual layer" held by Business Development Manager Achleitner Thomas.
Visit our booth #D832
Visit our booth #219 and listen to our talk "The Wide–Xfade Large Field Feature of Maskless Exposure Technology Utilized in Digital Patterning of High–Performance Materials" held by Dr. Ksenija Varga on February 27th 2025 • 9:10 AM - 9:30 AM and visit the poster session on 26 February 2025 • 5:30 PM - 7:00 PM to get more information about "Photolithography Process Optimization: Insights into Negative Tone Resists and Spray Coating" presented by Johanna Rimböck.
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