仮接合・剥離

3次元積層のためのウェーハ裏面プロセスを可能にする仮接合・剥離技術

イントロダクション

仮接合は、3次元IC、パワーデバイスやファンアウト・ウェーハレベル・パッケージング（FoWLP）ウェーハなどの薄化済、または薄化されるウェーハ、さらに化合物半導体などの壊れやすい基板を機械的にサポートするために不可欠なプロセスです。EVGの仮接合装置は2001年に初リリースされ、EVGの蓄積されたウェーハ接合のノウハウのすべてが反映されています。

EVGでは、市販されている各種の材料に対応するオープンプラットフォームを採用し、仮接合や剥離のための完全なプロセス統合を提供しています。接着剤は主に、レーザー剥離、機械剥離、または熱剥離の手法（デバイスと支持基盤の間の接合を弱める各剥離手法）に基づき、分類されます。20年以上の経験を持つスライドオフとリフトオフ剥離は、EVGの仮接合技術の原点です。近年では、機械剥離とUVレーザーによる剥離を組み合わせたEVGのLowTemp剥離プロセス（室温での剥離）が開発されています。特に盛んに開発が行われているシリコンの裏面加工や次世代デバイス用の超薄型チップ・パッケージなどを可能にする低温剥離は先端パッケージング製造にとって不可欠な工程となっています。