IRレーザーでシリコン支持基板から層を正確に剥離する完全自動化システムEVG®880 LayerRelease™
EVG 880 LayerReleaseシステムは、赤外線（IR）レーザーと実証済の量産（HVM）対応プラットフォームで、特別に形成された無機剥離材料を用いて、シリコン支持基板から接合層、成膜層、または成長層をナノメートル精度で剥離することができます。
この革新的なプロセスにより、ガラス基板や有機接着剤が不要となり、処理温度の制限もなく、極薄層のトランスファーやそれに続くプロセスで必要とされる前工程との互換が可能になります。
シリコン支持基板に無機剥離層を設けることで、こうした温度やガラス基板に関する互換性の問題が解決できます。さらに、IRレーザーによる剥離はナノメートル単位の精度であるため、従来のプロセスを変更することなく、極薄デバイスウェーハの処理を可能にします。このような薄いデバイス層を積層することで、より広帯域幅での相互接続が可能になり、次世代高性能デバイス向けのダイ設計やセグメント化の新しい可能性が開かれます。
EVG®880 LayerRelease システムは、EVGの業界をリードするEVG850シリーズの全自動仮貼り合わせ/剥離およびシリコン・オン・インシュレータ（SOI）接合装置と同じプラットフォームをベースにしており、コンパクトな設計とHVMで実証されたウェーハ搬送システムを備えています。
特長
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製品の特長
- 全自動のフロントエンド対応HVM装置
- 最大300mmまでの基板サイズ（SEMI M1）
- 基板IDリーダーおよびSECS/GEM搭載
- ISO3環境
- レーザー計測を含む使用時の完全なプロセス制御
- 露光後の基板を剥離する剥離モジュールを内蔵
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3Dインテグレーション｜スケーリング・ロードマップ：
- メスのような精度でシリコンウェーハにIR レーザーを照射し、フィルムを剥離
- フュージョン/ハイブリッド接合による極薄層スタッキングを可能にする、斬新で画期的な3Dインテグレーション・プロセス・フローを実現
- 先端デバイス製造と3Dスタッキングのための、あらゆるハイブリッド/フュージョン接合プロセスの組み合わせが可能
- 既存のFEOL材料、プロセス、インフラを利用
- トランスファーレイヤーの均一性はエピタキシーの均一性によって定義。ウェーハ研削、研磨、エッチングなどの標準的なウェーハ薄化プロセスからの均一性の制限を排除。
- III-V、2D材料、超格子などのフュージョン接合と組み合わせたユニバーサルな材料の転用。
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ヘテロジニアス・インテグレーション:
- シリコン支持基板をテンポラリーキャリアとして使用可能
- 使用する支持基板の温度制限による問題を排除し、標準的で確立されたプロセスを可能に。
- シリコン基板上に超ファインピッチ再配線層パターニング加工が主要なリソグラフィ法で可能
- 高価な装置アップグレードやガラスウェーハ処理とチャッキングのための基板裏面への成膜が不要
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